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意法半導體推全新M系列IGBT 提太陽能逆變器能效

發佈日期 2014 年 12 月 12 日 11:20 | 作者 | 分類 產業資訊
意法半導體推出全新M系列1200V IGBT,以先進的溝槽式場截止(trench-gate field-stop)技術為特色,可最大幅度地降低電壓過沖,消除關機期間常出現的振盪現象,有效提升太陽能逆變器、焊接設備、不斷電系統與工業馬達驅動器等多項應用的能效與可靠性。 &n...  [詳内文]