中國推新版太陽能產業規範,提高晶矽製造門檻

發佈日期: 2018 年 03 月 02 日 12:16 | 作者: | 分類: 產業資訊
 
中國太陽能單多晶製造門檻進一步提高。中國工業和信息化部 1 日發佈新版太陽能製造行業規範條件顯示,未來將嚴格控制新上單純擴大產能的太陽能製造專案,要求新建和改擴建企業的多晶矽專案每期規模不低於 3,000 噸/年,多矽電池和單晶矽電池最低光電轉換效率分別不低於 19% 和 21%。上述規範條件係自 2018 年 3 月 1 日起實施。
 
按照上述規範條件,在生產佈局與專案設立方面,中國官方將嚴格控制新上單純擴大產能的太陽能製造專案,引導太陽能企業加強技術創新、提高產品品質、降低生產成本。新建和改擴建多晶矽製造專案,最低資本金比例為 30%,至於其他新建和改擴建太陽能製造專案,最低資本金比例為 20%。
 
在生產規模和製程技術方面,中國太陽能製造企業按產品類型應滿足多晶矽專案每期規模不低於 3,000 噸/年、矽錠年產能不低於 1,000 噸、矽棒年產能不低於 1,000 噸、矽片年產能不低於5,000 萬片、晶矽電池年產能不低於 200MWp、晶矽電池組件年產能不低於 200MWp、薄膜電池組件年產能不低於 50MWp、逆變器年產能不低於 200MWp(微型逆變器不低於 10MWp)等生產條件。
 
現有太陽能製造企業及專案產品則應滿足一系列技術指標要求,其中多晶矽電池和單晶矽電池的最低光電轉換效率分別不低於 18% 和 19.5%;矽基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低於 8%、13%、12%、10%。
 
在新建和改擴建企業及專案產品的技術指標要求則更高,多晶矽電池和單晶矽電池的最低光電轉換效率分別不低於 19% 和 21%;矽基、CIGS、CdTe 及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低於 12%、14%、14%、12%。
 
此外,本次新規範條件亦要求中國多晶矽電池組件和單晶矽電池組件衰減率首年分別不高於 2.5% 和 3%,後續每年不高於 0.7%,25 年內不高於 20%;薄膜電池組件衰減率首年不高於 5%,後續每年不高於 0.4%,25 年內不高於 15%。
 
上證報引述業內人士認為,2018 年中國太陽能市場將繼續保持快速增長態勢,龍頭企業效益將獲得一定支撐,但太陽能企業之間的競爭將愈趨激烈,整體競爭將主要集中於技術與效率。
 
(本文內容由 MoneyDJ新聞 授權使用。首圖來源:Pixabay)
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