保利協鑫整錠單晶矽片G3重磅發佈

發佈日期: 2017 年 04 月 20 日 9:59 | 作者: | 分類: 產業資訊

4月19日,保利協鑫在2017 SNEC國際太陽能產業及光伏工程展覽會上重磅發佈新一代整錠單晶G3矽片產品。據介紹,該產品使用鑄錠技術生產單晶,具有“高產能、高效率、低成本、低光衰”等多重優勢。來自多家電池組件企業的資料顯示,整錠單晶矽片G3在常規電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小於0.5個百分點,同時在成本上有較大優勢,對光伏的高效化、平價化發展意義重大,有望給傳統單晶技術帶來深刻變革。

鑄錠全單晶技術取得突破性進展

不同於採用直拉法製備的傳統單晶,新產品採用鑄錠技術,單次投料量更大,生產成本甚至優於採用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。同時,由於整錠單晶矽片晶向一致,可使用堿制絨工藝,因此轉換效率非常接近直拉單晶產品,並可融合PERC等高效電池技術,帶來更高的產品效率。

據介紹,整錠單晶矽片G3基於保利協鑫最新的整錠全單晶技術平臺,單晶面積可達99%以上,顯著優於“鑫單晶”前代產品和業界同類產品。資料顯示,批量生產的整錠單晶矽片G3在常規工藝下的電池轉換效率可達19.52%,在PERC電池工藝下可達20.85%,與同樣工藝的直拉單晶效率相差不超過0.5個百分點。與同樣邊長的直拉單晶矽片相比,整錠單晶矽片面積更大,組件封裝損失更小。普通電池工藝的G3矽片60片組件功率達到280-285瓦,應用PERC工藝可達295-300瓦。

不僅如此,G3矽片還繼承了鑄錠技術產品“光衰”較低的優點,與常規多晶持平,顯著優於傳統直拉單晶。對應用端來說,G3新產品同時實現了“高效率”、“低衰減”的雙重目標,實際效率更高。

完美融合多晶和單晶的產品優勢

保利協鑫首席技術官萬躍鵬表示,整錠單晶矽片G3通過技術提升,將常規多晶的高產能、低光衰和低封裝損失,以及傳統直拉單晶的高轉換效率、低位元錯密度、匹配高效電池技術等優勢融為一體,未來有望成為最具競爭力的高效光伏產品。

一直以來,光伏企業採用鑄錠技術生產多晶、採用直拉法生產單晶。但據萬躍鵬介紹,無論是鑄錠技術還是直拉技術,都可以生產單晶或者多晶。保利協鑫“鑫單晶”創造性地採用鑄錠技術路線生產單晶,融合了單晶完美的晶體結構和表面特性、多晶的低成本等優勢。而且,鑄錠“鑫單晶”矽片更容易擴大尺寸,未來可根據客戶定制需求拓展矽片面積並進行標準化生產。資料顯示,邊長157.75mm的“鑫單晶”矽片較之156mm的常規矽片,有效面積增加5.51%,在單位轉換效率不變的情況下,60片元件功率可因此提升6.1瓦。

阿特斯、天合光能、晶澳太陽能、臺灣茂迪、晉能科技、通威太陽能等業界領先的光伏企業代表參加了G3新品發佈會。茂迪股份董事長兼執行長張秉衡講話表示,今年由於政策的原因導致單晶產品供應失衡,給業者造成了很大困擾,有大量新建的單晶電池、組件投資卻買不到矽片。保利協鑫多年來持續研發整錠單晶矽片產品,為單晶提供了更具競爭力的技術路線,為產業發展做出了實實在在的貢獻。晉能科技總經理楊立友表示,整錠單晶產品帶來了轉換效率的“質”的變化,相信在中國強大的光伏產業鏈的支撐下,鑄錠單晶技術在未來將有很大的發展空間。

保利協鑫總裁朱戰軍表示,整錠單晶矽片G3是對常規多晶和傳統直拉單晶產品的推陳出新,不但完美解決了多晶、單晶長期以來的技術爭論,還可以滿足客戶對效率、價格、品質的多重需求。通過技術進步和產品創新,保利協鑫將不斷降本增效,以矽片技術進步為杠杆,撬動電池、元件及整個光伏系統成本的持續下降,為光伏平價上網增加助力。

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