意法半導體推全新M系列IGBT 提太陽能逆變器能效

發佈日期: 2014 年 12 月 12 日 11:20 | 作者: | 分類: 產業資訊
意法半導體推出全新M系列1200V IGBT,以先進的溝槽式場截止(trench-gate field-stop)技術為特色,可最大幅度地降低電壓過沖,消除關機期間常出現的振盪現象,有效提升太陽能逆變器、焊接設備、不斷電系統與工業馬達驅動器等多項應用的能效與可靠性。
 
高度優化的傳導性與關斷性以及低導通耗損,讓全新進化的IGBT特別適合用於執行頻率高達20kHz的硬式開關電路;可承受的最高工作溫度提高至175°C,寬安全工作範圍無鎖定效應,150°C時的短路耐受時間為10µs。
 
同時,低飽和電壓可確保新產品具有很高的傳導效率、正溫度係數與窄飽和電壓範圍可簡化新產品的平行設計,有助於提高功率處理性能。此外,新產品與IGBT反向平行的新一代二極體一同封裝,帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升,進而實現更出色的EMI性能表現。
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