晶體硅太陽能電池製造工藝

發佈日期: 2011 年 11 月 21 日 16:11 | 作者: | 分類: 綠能知識

晶體硅太陽能電池的製造工藝流程說明如下:

(1)切片:採用多線切割,將硅棒切割成正方形的硅片。

(2)清洗:用常規的硅片清洗方法清洗,然後用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。

(3)製備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面製備絨面。

(4)磷擴散:採用塗布源(或液態源,或固態氮化磷片狀源)進行擴散,製成PN+結,結深一般為0.3-0.5um。

(5)周邊刻蝕:擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層,會使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子幹法腐蝕去除周邊擴散層。

(6)去除背面PN+結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結。

(7)製作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先製作下電極,然後製作上電極。鋁漿印刷是大量採用的工藝方法。

(8)製作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。製作減反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、PECVD法或噴塗法等。

(9)燒結:將電池晶片燒結於鎳或銅的底板上。

(10)測試分檔:按規定參數規範,測試分類。

由此可見,太陽能電池晶片的製造採用的工藝方法與半導體器件基本相同,生產的工藝設備也基本相同,但工藝加工精度遠低於積體電路晶片的製造要求,這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。

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